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晶像光電 SOI JX-F355P 兩百萬(wàn)畫(huà)素物聯(lián)網(wǎng)感測器方案
- 晶相光電 JX-F355P 是一款全新2百萬(wàn)分辨率 CMOS 圖像傳感器，提供了背照式+近紅外線(xiàn)(BSI/NIR)技術(shù)?？纱钆洳煌脚_SOC，適用于安防監控、車(chē)載高清、USB攝影機、打獵相機、紅外夜視儀、運動(dòng)攝影機和物聯(lián)網(wǎng) AI 相機等領(lǐng)域。?場(chǎng)景應用圖SOI-SOI?產(chǎn)品實(shí)體圖SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方塊圖SOI-SOI?核心技術(shù)優(yōu)勢1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近紅外線(xiàn)加強 像素技術(shù)，可為在低光或無(wú)光環(huán)境中運行的應用提供新的可能性，同時(shí)降低總功耗
- 關(guān)鍵字： 晶像光電 SOI JX-F355P 物聯(lián)網(wǎng)感測器
SOI芯片熱潮再起，中國市場(chǎng)信心大增
- 受到美國政府的干擾，中國半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展遇到了諸多困難，同時(shí)也給原來(lái)沒(méi)有得到足夠關(guān)注的技術(shù)或企業(yè)提供了很好的發(fā)展機遇，SOI（絕緣體上硅）制程工藝就是其中之一。2019 年之前，當先進(jìn)制程工藝演進(jìn)到 10nm 時(shí)，當時(shí)昂貴的價(jià)格，以及漏電流帶來(lái)的功耗水平偏高問(wèn)題，一直是業(yè)界關(guān)注的難題，SOI 正是看到了 FinFET 的這些缺點(diǎn)，才引起人們關(guān)注的，它最大的特點(diǎn)就是成本可控，且漏電流非常小，功耗低。在實(shí)際應用中，SOI 主要分為 FD-SOI（全耗盡型絕緣體上硅）和 RF-SOI（射頻絕緣體上硅）。FD-SO
- 關(guān)鍵字： SOI
解決 48V 電網(wǎng)及 FuSa 難題， Power-SOI 推動(dòng)智能功率器件創(chuàng )新
- 混合動(dòng)力汽車(chē) (HEV) 和全電動(dòng)汽車(chē) (EV) 設計如今廣受關(guān)注，一個(gè)重要的技術(shù)趨勢正悄然影響著(zhù)汽車(chē)行業(yè)——汽車(chē)動(dòng)力系統中的 48V 直流 (DC) 總線(xiàn)系統。48V 系統不僅適用于全電動(dòng)汽車(chē)和混合動(dòng)力汽車(chē)，它還適用于更常見(jiàn)的內燃機汽車(chē)。汽車(chē)應用 48V 電網(wǎng)48V 系統有何獨特之處？與在常規的供電條件下一樣，48V 系統歸根到底仍然遵循歐姆定律和基礎物理學(xué)規律，與電勢差 (V = IR)、電功率 (P = IV) 及功率損耗 (P = I2R) 相關(guān)。供電仍需要電流與電壓的結合，但電勢差（損耗）隨電流
- 關(guān)鍵字： Power-SOI Soitec
X-FAB率先向市場(chǎng)推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠(chǎng)X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠(chǎng)，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長(cháng)的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個(gè)芯片。X-F
- 關(guān)鍵字： X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
攻克復雜性障礙：下一代 SOI 天線(xiàn)調諧
- 過(guò)去十年，天線(xiàn)調諧技術(shù)領(lǐng)域發(fā)生了巨大變化。天線(xiàn)變得更小、性能更強，能處理更多的射頻信號。這些發(fā)展的核心是絕緣硅片 (SOI) 技術(shù)——它提供的調諧能力提高了設計靈活性，并大幅改善了性能。復雜射頻世界中的器件性能有時(shí)候，科技似乎在飛速發(fā)展，日新月異——產(chǎn)品變得越來(lái)越小，處理速度越來(lái)越快，我們的世界剎那間便不同以往。移動(dòng)設備的天線(xiàn)也是如此。支持許多頻段的更小移動(dòng)設備使得天線(xiàn)更加復雜。對于工程師而言，這種復雜性也是需要攻克的障礙。與此同時(shí)，技術(shù)開(kāi)發(fā)工程師每推出一代新技術(shù)，都會(huì )做出漸進(jìn)式改進(jìn)，通過(guò)這種持續改善來(lái)幫
- 關(guān)鍵字： Qorvo SOI
大聯(lián)大友尚集團推出基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的網(wǎng)絡(luò )攝像機(IPC)方案
- 致力于亞太地區市場(chǎng)的領(lǐng)先半導體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶視智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光電（SOI）JX-K06圖像傳感器的網(wǎng)絡(luò )攝像機（IPC）方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于CVITEK和SOI產(chǎn)品的IPC方案的展示板圖近年來(lái)，消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、智能家居、智慧城市的發(fā)展，推動(dòng)了智能監控技術(shù)的革新，也驅動(dòng)了IPC（網(wǎng)絡(luò )攝像機）的需求。相比于傳統攝像機，IPC不僅能夠提供更高清晰度的視頻效果，還具有網(wǎng)絡(luò )輸出接口，可直接將攝像機接入本地局域網(wǎng)。這些特性使其
- 關(guān)鍵字： 大聯(lián)大友尚 CVITEK SOI 網(wǎng)絡(luò )攝像機
ST和GlobalFoundries在法國Crolles附近的新工廠(chǎng)聯(lián)合推進(jìn)FD-SOI
- 意法半導體(ST)和GlobalFoundries (GF)剛剛簽署了一份諒解備忘錄，將在意法半導體位于法國Crolles的現有晶圓廠(chǎng)旁邊新建一座聯(lián)合運營(yíng)的300毫米半導體晶圓廠(chǎng)。新工廠(chǎng)將支持多種半導體技術(shù)和工藝節點(diǎn)，包括FD-SOI。ST和GF預計，該晶圓廠(chǎng)將于2024年開(kāi)始生產(chǎn)芯片，到2026年將達到滿(mǎn)負荷生產(chǎn)，每年生產(chǎn)多達62萬(wàn)片300毫米晶圓。法國東南部的Crolles，距離意大利邊境不遠，長(cháng)期以來(lái)一直是FD-SOI發(fā)展的溫床。從許多方面來(lái)看，FD-SOI是一種技術(shù)含量較低的方法，可以實(shí)現FinF
- 關(guān)鍵字： FD-SOI GAAFET FinFET
意法半導體和格芯將在法國新建12英寸晶圓廠(chǎng)，推進(jìn) FD-SOI 生態(tài)系統建設
- ·????? 隨著(zhù)世界經(jīng)濟向數字化和脫碳轉型，新的高產(chǎn)能聯(lián)營(yíng)晶圓廠(chǎng)將更好滿(mǎn)足歐洲和全球客戶(hù)需求·????? 新工廠(chǎng)將支持各種制造技術(shù)，包括格芯排名前列的 FDX? 技術(shù)和意法半導體針對汽車(chē)、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)和通信基礎設施等應用開(kāi)發(fā)的節點(diǎn)低至18納米的全面技術(shù)·????? 預計該項合作投資金額達數十億歐元，其中包括來(lái)自法國政府的大筆財政支持?2022 年
- 關(guān)鍵字： 意法半導體 12英寸 晶圓廠(chǎng) FD-SOI
CEA、Soitec、格芯、意法半導體攜手推動(dòng)下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規劃
- CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半導體宣布一項新合作協(xié)議，四家公司計劃聯(lián)合制定產(chǎn)業(yè)之下一代FD-SOI技術(shù)發(fā)展規劃。半導體組件和FD-SOI技術(shù)創(chuàng )新對法國和歐盟以及全球客戶(hù)具有策略?xún)r(jià)值。FD-SOI能夠為設計人員和客戶(hù)系統帶來(lái)巨大益處，包括更低功耗以及易于整合更多功能，例如，通訊聯(lián)機和安全保護，這對汽車(chē)、物聯(lián)網(wǎng)和行動(dòng)應用而言，其優(yōu)勢是FD-SOI技術(shù)的一個(gè)重要特質(zhì)。CEA主席Francois Jacq表示，二十多年來(lái)，在Grenoble-Crolles生態(tài)系統中，CEA一
- 關(guān)鍵字： CEA Soitec 格芯 意法半導體 FD-SOI
田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計的設計與仿真
- 介紹了一種田字形單質(zhì)量塊三軸電容式微加速度計的設計與仿真。該加速度計以SOI晶圓作為基片，經(jīng)過(guò)氧化、光刻、干法刻蝕和濕法刻蝕等工藝步驟得到。通過(guò)支撐梁和3個(gè)軸的敏感結構的巧妙設計，有效避免了平面內和垂直方向的交叉軸干擾的影響，并提高了Z軸的靈敏度。通過(guò)差分電容的設計，理論上消除了交叉軸干擾。通過(guò)仿真得到了該加速度計在3個(gè)軸向上的靈敏度及抗沖擊能力。結合理論分析和ANSYS仿真結果，可以得出結論：所設計的加速度計擁有較低的交叉軸干擾、較高的靈敏度以及較強的抗沖擊能力，在慣性傳感器領(lǐng)域有一定的應用前景。
- 關(guān)鍵字： 微加速度計 SOI 交叉軸干擾 靈敏度
Soitec以新技術(shù)為自動(dòng)駕駛發(fā)展保駕護航
- 作為一家設計和生產(chǎn)創(chuàng )新性半導體材料的技術(shù)領(lǐng)導企業(yè)，來(lái)自于法國的Soitec以提供高性能超薄半導體晶圓襯底材料來(lái)助力整個(gè)信息產(chǎn)業(yè)的創(chuàng )新，通過(guò)不斷革新更優(yōu)化的制造材料，確保半導體芯片能夠以更高性能和更好的穩定性提供服務(wù)。特別是伴隨著(zhù)5G技術(shù)的不斷推進(jìn)，基于RF-SOI的襯底在確保5G智能手機用芯片的性能方面起到了至關(guān)重要的作用，可以說(shuō)Soitec的技術(shù)是促進(jìn)5G智能手機快速普及的幕后英雄之一。 當然，“幕后英雄”也因為其先進(jìn)的技術(shù)獲得企業(yè)的飛速發(fā)展，Soitec全球戰略執行副總裁Thomas PILISZCZ
- 關(guān)鍵字： Soitec RF-SOI FD-SOI
格芯與環(huán)球晶圓簽署合作備忘錄，未來(lái)將長(cháng)期供應12英寸SOI晶圓
- 全球領(lǐng)先的半導體晶圓代工廠(chǎng)格芯（GLOBALFOUNDRIES）于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圓制造商環(huán)球晶圓（Globalwafers.Co.,Ltd）簽訂合作備忘錄(MOU)，協(xié)議表明環(huán)球晶圓將負責對格芯12英寸晶圓的長(cháng)期供應。 環(huán)球晶圓是全球領(lǐng)先的8英寸SOI制造者之一，也是格芯8英寸SOI晶圓的長(cháng)期供應商，雙方長(cháng)期保持著(zhù)良好的合作關(guān)系。環(huán)球晶圓也是12英寸晶圓制造商，基于雙方未來(lái)發(fā)展與穩定供應需求，環(huán)球晶圓與格芯有望緊密協(xié)作，有力擴大環(huán)球晶圓12英寸SOI晶圓生產(chǎn)產(chǎn)能。 格
- 關(guān)鍵字： 硅晶圓 SOI
硬核技術(shù)創(chuàng )新加持，華虹宏力“8+12”特色工藝平臺為智能時(shí)代添飛翼
- 中國信通院數據顯示，2019年1-10月中國5G手機出貨量328.1萬(wàn)部，發(fā)展速度遠超業(yè)界預期。5G商用的加速推進(jìn)，讓更廣泛的智能時(shí)代提前到來(lái)，隨之而來(lái)的是海量的芯片需求。然而，先進(jìn)芯片制造工藝雖有巨資投入，卻僅能滿(mǎn)足CPU、DRAM等一部分芯片市場(chǎng)應用需求；像嵌入式閃存、電源、功率芯片等廣泛存在的需求，則主要由華虹集團旗下上海華虹宏力半導體制造有限公司（“華虹宏力”）為首的特色工藝芯片制造企業(yè)，基于成熟工藝設備不斷創(chuàng )新以提升芯片性能和成本優(yōu)勢來(lái)滿(mǎn)足。近日，在中國集成電路設計業(yè)2019年會(huì )(ICCAD 2
- 關(guān)鍵字： RF-SOI BCD
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